|
eaDonNTU, Donetsk >
Автомобильно-дорожный институт >
Факультет "Транспортные и информационные технологии" >
Кафедра "Общенаучные дисциплины" >
Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" >
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ea.donntu.ru/handle/123456789/10788
|
| Название: | Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках |
| Другие названия: | Features of surface diffusion in semiconductors |
| Авторы: | Уколов, О.І.
Любченко, І.В
Уколова, Ю.В. |
| Ключевые слова: | Дифузія
Diffusion
напівпровідник
semiconductor
поверхня
surface |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | София. «Бял ГРАД БГ» ООД. |
| Библиографическое описание: | Уколов О.І., Любченко І.В, Уколова Ю.В. Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках//Материалы за 6 – а международна научна практична конференция, «Новини на научния про-грес», - 2010. Том 6. Технологии. Математика. Съвременни тено-логии на информации. Физика. Физическа култура и спорт. с. 69 - 71 |
| Аннотация: | В даній роботі зроблена теоретична оцінка енергії міграції вакансій у приповерхневих шарах кристала напівпровідника з урахуванням наявності механічних напружень та ультразвукового опромінення. |
| Описание: | This work made a theoretical assessment of energy migration of vacancies in the сrystal semiconductor surface layers with the presence of mechanical stress and ultrasonic irradiation. |
| URI: | http://ea.donntu.org/handle/123456789/10788 |
| Располагается в коллекциях: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
|
