|
eaDonNTU, Donetsk >
Научные труды ДонНТУ >
Серія: Металургія >
Випуск 11(159) >
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ea.donntu.ru/handle/123456789/8852
|
| Название: | Влияние технологических факторов на содержание атомов кислорода в монокристаллах кремния |
| Другие названия: | Influence of technological factors on the content of oxygen in silicon single crystals |
| Авторы: | Швец, Е.Я.
Головко, Ю.В. |
| Ключевые слова: | кислород
oxygen
atom
silicon
monocrystall
admixture
атом
кремний
примесь
раствор |
| Дата публикации: | 2009 |
| Издатель: | Донецький національний технічний університет |
| Библиографическое описание: | Наукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя: металургія. Випуск: 11(159) - Донецьк: ДонНТУ. - 2009 |
| Аннотация: | Эксперементально исследовановлияние массы загрузки и конструктивных особенностей теплового узла,использованных при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского, на содержание примеси кислорода и кристаллов |
| Описание: | Influence of weight of batch,diameter of a crucible and the desig features of thermal unit used at growth of silicon single crystals by Czochralski method on the contents of an oxygen impurity in crystals is experimentally investigated |
| URI: | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/8852 |
| Располагается в коллекциях: | Випуск 11(159)
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
|
